近日，业界消息传出联电洽谈出售8英寸晶圆厂，联电则回应“不评论市场传言”，但指出，其中1座8英寸厂将准备先试产化合物半导体氮化镓（GaN）技术。
据悉，联电目前拥有7座8英寸晶圆厂，1座6英寸晶圆厂，以及4座12英寸晶圆厂。其中，联电8英寸晶圆厂有6座位于竹科，另1座在苏州和舰；6英寸晶圆厂是位于竹科的联颖光电；12英寸厂分别在南科、新加坡、厦门联芯与日本。
联电8英寸到12英寸厂的制程技术涵盖0.5微米至22/28纳米。其中，22/28纳米占联电第二季营收比重达33%居最高，65纳米占15%营收比重居次，40纳米与90纳米各占12%。
对于业界传出的洽谈出售8英寸晶圆厂，联电回应“不评论市场传言”，但指出，已在开发8英寸化合物半导体的氮化镓（GaN）技术，将会先从其中1座8英寸厂先试产，至于何时试产看市场状况而定。
展望第三季，联电预期，第三季晶圆出货量将季增4％～6％，产能利用率估将回升至近70％，不过，受折旧增加及电费上涨影响，预期毛利率将维持35％上下，市场法人预期，联电第三季可望维持营运增长表现。
联电共同总经理王石指出，预期终端市场会有进一步改善，特别是在通信和电脑领域，将推动产能利用率的提升。联电的22/28nm业务持续驱动乐观的营收成长，在下半年，22/28nm已有多个设计定案（tape-outs），应用范围涵盖显示器驱动IC、通信和网络等领域。
联电表示，生成式AI未来市场潜力庞大，因此联电绝对不会在AI市场中缺席，看好包括高速传输、电源管理IC、MCU等相关市场芯片也会受惠增长，该公司目前在特殊制程的运营占比已达五成，公司对未来半导体及AI相关应用增长仍相当有信心。（校对/孙乐）
